ピエゾ抵抗圧力センサー
抵抗ひずみゲージは、ピエゾ抵抗ひずみセンサーの主要コンポーネントの 1 つです。金属抵抗ひずみゲージの動作原理は、一般に抵抗ひずみ効果として知られる、基板に吸着されたひずみゲージの抵抗が機械的変形に応じて変化する現象に基づいています。
セラミック圧力センサー
セラミック圧力センサーはピエゾ抵抗効果に基づいています。セラミックダイヤフラムの前面に直接圧力がかかり、わずかな変形が生じます。厚膜抵抗器はセラミック ダイヤフラムの背面に印刷されており、ホイートストン ブリッジを形成しています。ピエゾ抵抗抵抗器のピエゾ抵抗効果により、ブリッジは圧力に比例し、励起電圧にも比例する高度に線形な電圧信号を生成します。標準信号は圧力範囲に応じて2.0/3.0/3.3 mV/Vなどに校正されており、ひずみゲージセンサーと互換性があります。
拡散シリコン圧力センサー
拡散シリコン圧力センサーの動作原理もピエゾ抵抗効果に基づいています。この原理を利用して、測定媒体の圧力がセンサーのダイヤフラム (ステンレス鋼またはセラミック) に直接作用し、媒体圧力に比例してダイヤフラムの微小な変位を引き起こします。-これにより、センサーの抵抗が変化します。電子回路がこの変化を検出し、その圧力に対応する標準測定信号を出力します。
サファイア圧力センサー
ひずみゲージの原理を利用したこのセンサーは、半導体検出素子としてシリコン サファイアを使用しており、比類のない計測特性を備えています。したがって、シリコン-サファイアで作られた半導体検知素子は温度変化の影響を受けにくく、高温でも優れた動作特性を示します。サファイアは強い放射線耐性を持っています。さらに、シリコン-サファイア半導体検出素子にはp-}ドリフトがありません。
圧電圧力センサー
圧電効果は圧電センサーの主な動作原理です。外部力が加えられた後の電荷は、回路の入力インピーダンスが無限大の場合にのみ保存されるため、圧電センサーは静的測定には使用できません。実際にはそうではないため、圧電センサーは動的応力のみを測定できます。